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纳米银烧结方案
随着新能源汽车放量，大功率IGBT器件广泛应用于电机驱动、车载充电模块；以及新能源功率模块对工作温度和可靠性的要求越来越高，催生SiC和GaN等宽禁带半导体芯片的普及应用，烧结银工艺成为提升其封装可靠性和性能的关键技术。
· 纳米银烧结工艺烧结体具有优异的导电性、导热性、高粘接强度和高稳定性等特点，纳米银烧结工艺的模块可长期在高温环境下工作；
· 纳米银烧结工艺在芯片烧结层形成可靠的机械连接和电连接，有效降低热阻和内阻，整体提升模块性能及可靠性；
· 烧结料为纯银材料，不含铅，属于环境友好型材料。
真空回流/甲酸共晶
· 提供固晶、共晶成套解决方案
· 支持多种混合气体（N2、 N2/H2等）环境下共晶工艺
· 支持无助焊剂甲酸共晶工艺
